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三星开始大规模生产MRAM记忆体,结合DRAM和NAND闪存特性

2019-03-14 11:08      点击:

三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴,并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。MRAM号称是“次世代记忆体”,是继半导体存储器DRAM和NAND Flash之后又一划时代的创新存储器。

由于DRAM和NAND Flash微制成工艺已近乎接近极限,存储晶圆厂亟需另辟蹊径,寻求技术创新迭代,MRAM(磁电阻式随机存取记忆体)、PRAM(相变化记忆体)和RRAM(电阻式动态随机存取记忆体)三大存储记忆体的出现满足终端市场需求。

就笔者得知,目前三星和台积电主攻MRAM记忆体芯片,同时后者兼具RRAM的创新研发,英特尔Intel)基于3D XPoint技术发力MRAM和PRAM记忆体芯片。

我们再看下三星,据其表示,该公司的MRAM采用28nm制程工艺,并基于FD-SOI的技术集成冲压处理,目前已经开始批量生产嵌入式磁性随机存取内存eMRAM。该公司计划年内开始生产1千兆位(Gb)eMRAM测试芯片,继续扩展其嵌入式存储器解决方案。

对于FD-SOI工艺,半导体业界同行应该并不陌生,在全球半导体晶圆市场上,三星、NXP、ST、Cadence等已经各自在FD-SOI技术领域的产品布局。

那么,为什么三星对MRAM记忆体芯片情有独钟?

因为,内置MRAM结合了DRAM和NAND闪存的特性,具备高性能、低功耗和处理速度更快等优势,并具有成本竞争优势,可替换内置小型电子产品,如物联网(IoT)设备上网使用的NAND闪存。此外,内置MRAM记忆体芯片比现有的嵌入式NAND闪存具有更快的数据处理能力。

另外据悉,英特尔的MRAM也已经开始投产,采用22nm制成工艺,相关参数如下表:

结论:随着次世代记忆体芯片MRAM、PRAM和RRAM开始布局市场,32层、64层等的NAND Flash闪存短期影响不大。不过,如未来次世代记忆体技术步入成熟期,并进入利基市场,其他竞品的空间或将会受限。